厚膜結晶層の製造方法

摘要

厚膜結晶層を製造する方法は、シード層３を区画する脆弱化面を形成するように、少なくとも表面にＳｉxＧｅ1-x結晶層１０を有する基板にイオン種を注入する工程（ａ）と、ＳｉyＧｅ1-y非晶質層５をシード層の上に堆積する工程（ｂ）と、一方がシード層３及びＳｉyＧｅ1-y非晶質層５を含む分離構造体８となり、他方が基板の残部４となるように、分離処理する工程（ｃ）と、厚さが１０μｍ以上で、残部４に固定されていない厚膜結晶層が得られるように、分離構造体８を熱処理する工程（ｄ）とを備えている。また、本発明はシード層と、注入されたイオンを含む応力領域を有するシリコン非晶質層とを備えたシリコン結晶基板を有する構造体に関する。【選択図】図３