低転位密度を有するＳＩＣ結晶

摘要

ＳｉＣ結晶を形成する方法であって、当該方法は、ＳｉＣの種を成長容器内に配置する工程と、成長容器を加熱する工程と、成長容器を真空排気する工程と、を含み、上記種は、温度及び圧力勾配、並びに種の成長面からと、種の縁部周辺と、種の背後空間へと流れるガス流の結果として浮揚され、前記ガス流は真空システムによってポンプ輸送される。