发明名称 用于从薄膜取下至少一个芯片状半导体构件的设备和方法
摘要 本发明涉及用于从薄膜取下至少一个芯片状半导体构件的设备和方法,该方法具有下列步骤:抬升装置相对薄膜布置,其中,抬升装置的接触区贴靠在薄膜的第二主面上,与布置在第一主面上的待取下的呈芯片状半导体构件相对。借助配属的负压调节装置,用针对所有抽吸凹槽的恒定负压值或用针对不同的抽吸凹槽或抽吸凹槽组的不同负压值加载抬升装置的多个抽吸凹槽。薄膜在接触区中通过借助抬升件抬升薄膜而局部变形,抬升件布置在抬升装置的所配属的凹槽中。借助取下装置从薄膜取下至少一个半导体构件。
申请公布号 CN102646635B 申请公布日期 2016.03.23
申请号 CN201210037539.5 申请日期 2012.02.17
申请人 赛米控电子股份有限公司 发明人 阿明·斯图特
分类号 H01L21/78(2006.01)I 主分类号 H01L21/78(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 杨靖;车文
主权项 用于从粘性薄膜(12)取下至少一个呈芯片状的半导体构件(10)的设备,其中,所述半导体构件(10)布置在所述薄膜(12)的第一主面(120)上,所述设备带有用于所述半导体构件(10)的取下装置(20)和带有能在所述薄膜的第二主面(122)处布置的抬升装置(22),其中,所述抬升装置(22)具有用于相对所述薄膜(12)布置的、与呈芯片状的半导体构件(10)相对置的接触区(30),其本身具有多个抽吸凹槽(50、52)和用于呈销钉状的抬升件(40)的凹槽(42),其中,至少两个抽吸凹槽(50、52)或抽吸凹槽(50、52)的组联接在分开的负压调节装置(60、62)上,所述分开的负压调节装置仅允许在呈芯片状的半导体构件(10)的区域中的薄膜(12)局部地变形。
地址 德国纽伦堡