发明名称 |
半导体装置及其驱动方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体装置及其驱动方法。所公开的发明的一个方式的目的之一在于提供一种即使没有电力供给也能够保持存储内容并且对写入次数也没有限制的具有新的结构的半导体装置。该半导体装置,包括:多个存储单元,该存储单元具有使用第一半导体材料的晶体管、使用与第一半导体材料不同的第二半导体材料的晶体管以及电容元件;以及电位转换电路,该电位转换电路具有一种功能,即在写入期间中将电源电位供应到源极线。由此,可以充分抑制半导体装置的耗电量。 |
申请公布号 |
CN102376713B |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201110233014.4 |
申请日期 |
2011.08.05 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
井上广树;加藤清;松崎隆德;长塚修平 |
分类号 |
H01L27/105(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I;G11C11/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/105(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张金金;王忠忠 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:写入字线;写入及读出字线;位线;源极线;电连接于所述源极线的电位转换电路;以及多个存储单元,其中,所述多个存储单元的至少一个包括:包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极以及第一沟道形成区的第一晶体管;包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极以及第二沟道形成区的第二晶体管;以及电容元件,所述第一沟道形成区的半导体材料与所述第二沟道形成区的半导体材料不同,所述第二源电极和所述第二漏电极中的一方、所述电容元件的一方电极以及所述第一栅电极彼此电连接,所述第二栅电极电连接于所述写入字线,所述电容元件的另一方电极电连接于所述写入及读出字线,所述第一源电极和所述第一漏电极中的一方及所述第二源电极和所述第二漏电极中的另一方电连接于所述位线,所述第一源电极和所述第一漏电极中的另一方直接连接于所述源极线,所述源极线直接连接于多个列中的所述多个存储单元,所述第一晶体管为n沟道型晶体管,并且,所述电位转换电路配置成在写入期间中将电源电位供应到所述源极线。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |