发明名称 |
利用低温剥离技术制备绝缘体上材料的方法 |
摘要 |
本发明提供一种利用低温剥离技术制备绝缘体上材料的方法,至少包括以下步骤:首先提供一衬底,在其上依次外延掺杂层及待转移层;然后进行离子注入,使离子注入到所述掺杂层下表面以下预设深度;再提供一表面形成有绝缘层的基板,与待转移层键合形成键合片并进行微波退火处理,使掺杂层吸附离子形成微裂纹从下表面处剥离,得到绝缘体上材料。本发明利用掺杂层吸附剥离及键合来制备绝缘体上材料,其中,对键合片进行微波退火处理,微波退火处理过程中,掺杂层与衬底界面处局域温度较高以致剥离,而键合片整体温度较低,使得掺杂离子不易扩散到待转移层中,且低温不会对所述待转移层及其它层产生不良影响,有利于制备得到高质量的绝缘体上材料。 |
申请公布号 |
CN105428302A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201410475087.8 |
申请日期 |
2014.09.17 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
张苗;陈达;王刚;郭庆磊;母志强;孙高迪;薛忠营;狄增峰 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种利用低温剥离技术制备绝缘体上材料的方法,其特征在于,至少包括以下步骤:S1:提供一衬底,在所述衬底上外延一掺杂层;S2:在所述掺杂层表面外延一待转移层;S3:进行离子注入,使离子注入到所述掺杂层下表面以下预设深度;S4:提供一表面形成有绝缘层的基板,将所述绝缘层与所述待转移层键合,形成键合片;S5:对所述键合片进行微波退火处理,使所述掺杂层吸附离子形成微裂纹,使所述键合片从所述掺杂层下表面处剥离,得到自下而上依次包括基板、绝缘层及待转移层的绝缘体上材料。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |