薄膜晶体管阵列基板、其制造方法和显示装置

摘要

公开了薄膜晶体管阵列基板、其制造方法和显示装置。所述薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括至少一个TFT，所述至少一个TFT包括：半导体层，包括在基板上且具有第一掺杂浓度的源极区和漏极区、在源极区和漏极区之间且具有第二掺杂浓度的沟道区以及从源极区和漏极区延伸的非掺杂区，第二掺杂浓度低于第一掺杂浓度；栅极绝缘层，在半导体层上；栅电极，在栅极绝缘层上并且与沟道区至少部分叠置；源电极和漏电极，与栅电极绝缘并且分别电连接到源极区和漏极区。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括至少一个薄膜晶体管，所述至少一个薄膜晶体管包括：半导体层，包括在基板上且具有第一掺杂浓度的源极区和漏极区、在所述源极区和所述漏极区之间且具有第二掺杂浓度的沟道区以及从所述源极区和所述漏极区延伸的非掺杂区，所述第二掺杂浓度低于所述第一掺杂浓度；栅极绝缘层，在所述半导体层上；栅电极，在所述栅极绝缘层上并且与所述沟道区至少部分叠置；以及源电极和漏电极，与所述栅电极绝缘并且分别电连接到所述源极区和所述漏极区。