| 发明名称 | 阻变存储器中金属氧化物层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种阻变存储器中金属氧化物层的形成方法，包括：进行快速加热氧化，在金属材料上形成氧化层；和进行等离子体增强氧化，将氧化层变为增强氧化层。该方法制得的金属氧化层含氧量高，均一性好。 | ||
| 申请公布号 | CN103325941B | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201310217879.0 | 申请日期 | 2013.06.03 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 吴华强;白越;吴明昊;钱鹤 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种阻变存储器中金属氧化物层的形成方法，其特征在于，包括：S1.进行快速加热氧化，在金属材料上形成氧化层，其中，所述快速加热氧化的温度为400‑500℃，时间为50‑200s，并且所述氧化层的厚度为30‑100nm；和S2.进行等离子体增强氧化，将所述氧化层整体变为增强氧化层，其中，所述等离子体增强氧化的温度为300‑500℃，时间为500‑700s。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||