零温度系数可调电压基准源

摘要

本发明公开一种零温度系数可调电压基准源，为使可调电阻R2的输出基准电压不随温度变化而变化，设计正负温度系数的基准电流源I₁和I₂，PMOS管M7、M8构成共源共栅电流源I₁镜像正温度系数电流源，PMOS管M15、M16构成共源共栅电流源I₂镜像正温度系数电流源，电流源I₁的输出由PMOS管M8漏极输出，电流源I₂的输出由PMOS管M16漏极输出，M8与M16的漏极相连实现零温度系数基准电流I_REF，正负温度系数的电流源I₁和I₂以适当的权重相加。零温度系数可调电压基准源REGV由零温度系数电流源I_REF加可调电阻R2构成，即PMOS晶体管M8和M16的漏极相连再与电阻R2的一端相连，R2另一端接地。通过上述方式，本发明能够获得零温度系数可调电压基准源，解决只能产生固定带隙基准电压的局限性。

主权项

一种零温度系数可调电压基准源，其特征在于，包括：正温度系数电流源产生电路、负温度系数电流源产生电路和可调电阻R2；所述正温度系数电流源产生电路包括PMOS晶体管M7、M8和双极型晶体管Q1、Q2；工作在不同电流下的双极型晶体管Q1、Q2的基极‑发射极电压之间的差值与绝对温度成正比，利用电流镜电路获得与温度成正比的由PMOS晶体管M7、M8构成的正温度系数电流源，PMOS晶体管M7、M8构成共源共栅电流源I₁镜像正温度系数电流源；所述负温度系数电流源产生电路包括PMOS晶体管M15、M16和双极型晶体管Q3；双极晶体管Q3的基极‑发射极电压与绝对温度成反比，利用电流镜电路获得与温度成反比的由PMOS晶体管M15、M16构成的负温度系数电流源，PMOS晶体管M15、M16构成共源共栅电流源I₂镜像负温度系数电流源；电流源I₁的输出由PMOS晶体管M8漏极输出，电流源I₂的输出由PMOS晶体管M16漏极输出，PMOS晶体管M8与M16的漏极相连实现零温度系数基准电流I_REF；电流源I₁与电流源I₂以适当的权重、相加，使得成立，得到具有零温度系数的电流基准；PMOS晶体管M8与M16的漏极相连再与可调电阻R2的一端相连，可调电阻R2的另一端接地。