发明名称 |
一种高纯碳化硅粉料制备的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种高纯碳化硅粉料制备的方法,实现超高纯度SiC粉料且工序简单的高纯碳化硅粉料制备方法。将混合好的原料置于高纯石墨坩埚中,将石墨坩埚置于中频感应加热炉中;在未开始加热时往炉腔中注入高纯H2至800mbar,然后保持压力800mbar,并保持H2持续充入1小时;将设备抽真空,使得真空度达到5×10-6mbar,随后缓慢升温至略低于1000℃,停留一定时间,使得真空度再次达到5×10-6mbar。紧接着缓慢升温至1000℃-1200℃,进行合成反应,合成时间持续10h;在1200℃下,将高纯H2注入炉腔,保持压力在800mbar,保持1h,将高纯Ar与H2以流量比10:1注入炉腔,保持压力在800mbar,然后快速升温至1900℃-2100℃进行转化合成反应,合成时间持续10h。大大提高合成环境的纯度。 |
申请公布号 |
CN105417541A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201510972096.2 |
申请日期 |
2015.12.22 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第二研究所 |
发明人 |
马康夫;李斌;王英民;魏汝省;毛开礼;徐伟;王利忠;戴鑫;侯晓蕊;付芬;周立平;何超;田牧 |
分类号 |
C01B31/36(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/36(2006.01)I |
代理机构 |
山西科贝律师事务所 14106 |
代理人 |
陈奇 |
主权项 |
一种高纯碳化硅粉料制备的方法,包括以下步骤:第一步、选择高纯石墨粉(纯度>99.999%)与高纯Si粉(纯度99.999%)以摩尔比1:1.02进行均匀混合;第二步、选择聚四氟乙烯粉(纯度>99.999%)与混合后的原料以质量比1:100进行混合,所述(1)与(2)可同时进行;第三步、将混合好的原料置于高纯石墨坩埚中,将石墨坩埚置于中频感应加热炉中;在未开始加热时往炉腔中注入高纯H2至800mbar,然后保持压力800mbar,并保持H2持续充入1小时;第四步、将设备抽真空,使得真空度达到5×10‑6mbar,随后缓慢升温至略低于1000℃,停留一定时间,使得真空度再次达到5×10‑6mbar。 |
地址 |
030024 山西省太原市和平南路115号 |