薄膜晶体管及制备方法

摘要

一种薄膜晶体管的制备方法，包括在半导体层上形成栅极金属层，在所述栅极金属层上形成光刻胶层，通过构图工艺，使所述栅极金属层形成伪栅极；以所述伪栅极为掩膜，对所述半导体层进行重掺杂离子注入工艺，形成源极重掺杂区及漏极重掺杂区；对所述伪栅极上的所述光刻胶层进行灰化处理，以使所述光刻胶层的尺寸与待形成的栅极尺寸相同，刻蚀所述伪栅极上未被所述光刻胶层覆盖的区域，形成栅极；以所述栅极为掩膜，对所述半导体层进行轻掺杂离子注入工艺，形成源极轻掺杂区及漏极轻掺杂区。上述薄膜晶体管的制备方法，只需要一次图形化工艺即可实现源漏极重掺杂区、栅极、源漏极轻掺杂区的制作，相比于常规工艺可以减少工艺成本，缩短工艺时间。

主权项

一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在半导体层上形成栅极金属层，并且，在形成栅极金属层之后，还包括如下步骤：在所述栅极金属层上形成光刻胶层，通过构图工艺，使所述栅极金属层形成伪栅极；以所述伪栅极为掩膜，对所述半导体层进行重掺杂离子注入工艺，形成源极重掺杂区及漏极重掺杂区；对所述伪栅极上的所述光刻胶层进行灰化处理，以使所述光刻胶层的尺寸与待形成的栅极尺寸相同，刻蚀所述伪栅极上未被所述光刻胶层覆盖的区域，形成栅极；以所述栅极为掩膜，对所述半导体层进行轻掺杂离子注入工艺，形成源极轻掺杂区及漏极轻掺杂区。