一种低电位梯度压敏-电容双功能二氧化钛陶瓷材料及其制备方法

摘要

一种低电位梯度压敏-电容双功能二氧化钛陶瓷材料及其制备方法，属于半导体电子材料领域，其特征在于此种材料是以微米级二氧化钛为主体，加入微米级添加剂五氧化二铌、二氧化硅、氧化钐、二氧化锰、三氧化二锑，经湿法球磨至充分混合、烘干、造粒、压制成型、低温排胶、高温烧结，制备出二氧化钛压敏-电容双功能陶瓷，其中以五氧化二铌及烧制过程中由三氧化二锑氧化转变生成的五氧化二锑等高价离子作为施主掺杂，实现二氧化钛晶粒的半导化，以三氧化二钐等低价离子作为受主掺杂，改善相关电学性能。其平均晶粒尺寸大于9 μm，电位梯度在2.3～13.1 V/mm之间，非线性系数在2～4.13之间，其相对介电常数ε_r在4.6×10⁴ ～9.5×10⁴（1kHz）之间，损耗角tanδ在0.11～0.57之间，具有低电位梯度，兼具良好的电容功能。

主权项

一种低电位梯度压敏‑电容双功能二氧化钛陶瓷材料，其特征在于以微米级二氧化钛为主体材料，添加微米级添加物，具体组分包含：主体材料 TiO₂： 98.6～99.1mol%添加物   Nb₂O₅：0.5～0.8mol%         SiO₂：  0.0～0.3mol%         Sm₂O₃:  0.1～0.3 mol%         MnO₂:   0.0～0.2mol%         Sb₂O₃:   0.0～0.3mol%。