发明名称 一种金属氧化物半导体芯片电极焊盘及其制备方法
摘要 一种金属氧化物半导体芯片电极焊盘,它包括金属氧化物半导体芯片,金属氧化物半导体芯片的两侧为电极焊盘材料共晶体层,电极焊盘材料共晶体层的外侧为电极焊盘;其中,电极焊盘材料共晶体层由金属氧化物半导体芯片材料与电极焊盘材料共同构成。本发明金属氧化物半导体芯片与电极焊盘之间的共晶体层中减少了杂质,使金属氧化物半导体芯片的性能更稳定;去除了金属氧化物半导体芯片电极焊盘中的杂质、空洞和间隙,使金属氧化物半导体芯片在脉冲电流冲击下不会发生爆炸损坏,提高了金属氧化物半导体芯片的通流能力;减少了电极焊盘的加速氧化,提高了金属氧化物半导体芯片电极焊盘的可焊性。
申请公布号 CN103489843B 申请公布日期 2016.03.23
申请号 CN201210197011.4 申请日期 2012.06.15
申请人 安阳朗都电气有限公司 发明人 梁怀均;袁英
分类号 H01L23/488(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 郑州中原专利事务所有限公司 41109 代理人 张春;李想
主权项 一种金属氧化物半导体芯片电极焊盘,其特征在于:它包括金属氧化物半导体芯片(1),金属氧化物半导体芯片(1)的两侧为电极焊盘材料共晶体层(2),电极焊盘材料共晶体层(2)的外侧为电极焊盘(3);其中,电极焊盘材料共晶体层(2)由金属氧化物半导体芯片材料与电极焊盘材料共同构成;在制备时,首先,将金属氧化物半导体芯片(1)置于真空环境中,同时使金属氧化物半导体芯片(1)连接直流电压源(5),并形成电场;其次,对金属氧化物半导体芯片(1)加热直至其表面出现熔化;停止加热后,开启电子束控制器(10)使电子束(11)轰击电极焊盘材料靶材(12),从电极焊盘材料靶材(12)逸出的分子或分子团在电场作用下吸附在表面熔化的金属氧化物半导体芯片(1)上,待电极焊盘材料和金属氧化物半导体芯片材料结晶固化后,形成电极焊盘材料共晶体层(2);最后,从电极焊盘材料靶材(12)逸出的分子或分子团在电场作用下继续吸附在电极焊盘材料共晶体层(2)表面,形成电极焊盘(3)。
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