一种FS-IGBT器件阳极的制造方法

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种FS-IGBT器件阳极的制造方法。本发明的一种FS-IGBT器件阳极的制造方法，主要步骤为：对硅片1背面进行减薄处理；清洗硅片1背面并注入N型杂质，高温推结形成场阻止层2和表面牺牲层3；翻转硅片1完成正面制作工序；去掉硅片1背面的表面牺牲层3；清洗硅片1背面并注入P型杂质，退火形成P型集电极区10；背面金属11积淀。本发明的有益效果为，在不破坏FS层杂质分布前提下，能有效去除背部表面沾污、缺陷，并且实现方式简便、容易控制。本发明尤其适用于FS-IGBT器件阳极的制造。

主权项

一种FS‑IGBT器件阳极的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在硅片(1)背面注入N型杂质高温推结，形成具有浓度梯度的掺杂层，其中表面较高掺杂浓度的为表面牺牲层(3)，位于表面牺牲层(3)和硅片(1)之间较低掺杂浓度的为场阻止层(2)；形成具有浓度梯度的掺杂层的具体方式为：提高离子能量注入N型杂质，提高离子注入的剂量以较低能量再次注入N型杂质，高温推结形成具有浓度梯度的掺杂层，其中表面较高掺杂浓度的为表面牺牲层(3)，位于表面牺牲层(3)和硅片(1)之间较低掺杂浓度的为场阻止层(2)，所述场阻止层(2)的杂质浓度为3×10¹⁶～1×10¹⁸cm^‑3、厚度大于5um，表面牺牲层(3)的浓度为5×10¹⁵～1×10¹⁶cm^‑3、厚度大于2um；b.翻转硅片(1)完成正面制作工序；c.去掉硅片(1)背面的表面牺牲层(3)；d.清洗硅片(1)背面并注入P型杂质，退火形成P型集电极区(10)；e.完成背面金属(11)积淀。