利用金属层制造暂时结合的半导体结构的方法

摘要

本发明涉及一种制造用于实现被处理基板(1)和处理基板(3)暂时结合的结构的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供覆盖有第一金属层(2)的被处理基板(1,)，该第一层具有第一晶粒度；提供覆盖有第二金属层(4)的处理基板(3)，该第二层具有与所述第一金属层相同的成分以及不同于所述第一晶粒度的第二晶粒度；通过热压辅助直接结合第一金属层和第二金属层(2，4)来组装所述被处理基板(1)和所述处理基板(3)；可选地，处理组装至所述处理基板的所述被处理基板；拆卸所述被处理基板和所述处理基板的组件以形成所述结构，所述拆卸包括使所述组件弱化并且使所述处理基板(3)分离的热退火。

主权项

一种用于生产结构的方法，所述结构实现了被处理基板(1、10)和处理基板(3、30)的暂时粘合，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供覆盖有第一金属层(2、20)的被处理基板(1、10)，该第一层具有第一晶粒度；提供覆盖有第二金属层(4、40)的处理基板(3、30)，该第二层具有与所述第一金属层相同的成分以及不同于所述第一晶粒度的第二晶粒度；通过热压辅助直接结合所述第一金属层和第二金属层(2、20；4、40)来组装所述被处理基板(1、10)和所述处理基板(3、30)；可能地，在组装至所述处理基板时，处理所述被处理基板；拆卸所述被处理基板和所述处理基板的组件以形成所述结构，所述拆卸包括对所述组件进行脆化热退火，以使所述处理基板(3、30)分离。