发明名称 |
用于去除金属硬掩模和蚀刻后残余物的具有Cu/W相容性的水性制剂 |
摘要 |
本发明提供可用于从上面具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件相对于金属导电材料例如钨和绝缘材料而言选择性去除所述氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的组合物。所述去除组合物具有低pH,并含有至少一种氧化剂和至少一种蚀刻剂以及用于使金属腐蚀最小化的腐蚀抑制剂和用于保护电介质材料的钝化剂。 |
申请公布号 |
CN105431506A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201480043488.4 |
申请日期 |
2014.07.31 |
申请人 |
高级技术材料公司 |
发明人 |
陈丽敏;斯蒂芬·里皮;达妮埃拉·怀特;埃马纽尔·I·库珀 |
分类号 |
C09K15/02(2006.01)I |
主分类号 |
C09K15/02(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
金海霞;杨青 |
主权项 |
一种用于从上面具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件的表面选择性去除所述氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的组合物,所述组合物包含至少一种氧化剂、至少一种蚀刻剂、至少一种腐蚀抑制剂、至少一种钝化剂、至少一种溶剂和任选地至少一种络合剂,其中所述组合物基本上不含过氧化氢。 |
地址 |
美国康涅狄格州 |