| 发明名称 | 一种多晶硅铸锭装置 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种多晶硅铸锭装置，包括石英坩埚和设置在所述石英坩埚外周的若干块复合护板；每块所述复合护板包括石墨层和设置在石墨层上的金属隔离层；所述金属隔离层与石英坩埚接触。该多晶硅铸锭装置在石墨层上设置了一层金属隔离层，所述金属隔离层能够阻碍石英坩埚和石墨之间的干性反应产生碳的化合物，降低了硅锭中的碳含量，进而提高了硅锭的有效利用率；硅锭进行切片制得的多晶硅片的A级率提高，断线率降低。实验结果表明：采用本申请提供的多晶硅铸锭装置，硅片中的碳含量降低1.5～3ppm；硅锭的有效利用率增加1.2～3.5％；同时硅片的断线率下降0.5～2.5％，硅片的A级率增加0.5～1.5％。 | ||
| 申请公布号 | CN205099786U | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201520797818.0 | 申请日期 | 2015.10.15 |
| 申请人 | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 | 发明人 | 冷金标;周慧敏;龙昭钦;任一鸣;徐志群 |
| 分类号 | C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B28/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 赵青朵 |
| 主权项 | 一种多晶硅铸锭装置，包括石英坩埚和设置在所述石英坩埚外周的若干块复合护板；每块所述复合护板包括石墨层和设置在石墨层上的金属隔离层；所述金属隔离层与石英坩埚接触。 | ||
| 地址 | 334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号 | ||