发明名称 |
应用于特高压直流避雷器泄露电流检测的传感器 |
摘要 |
应用于特高压直流避雷器泄露电流检测的传感器,包括一环形壳体、一呈C形布置的磁芯以及一精密磁电传感器,所述环形壳体内设置有一容置空间,所述磁芯上分别绕设有一第一线圈绕组以及一第二线圈绕组,并且该磁芯安装于所述容置空间内,所述第二线圈绕组所产生的磁通密度方向与所述第一线圈绕组的磁通密度方向相反。本实用新型采用非接触式对避雷器漏电流进行采集,从而可以保证采集单元能够在复杂电磁场中进行有效和稳定地运行,不仅耐压能力得到很大地提升,而且能够在过电压下具有较强自恢复和自适应能力。 |
申请公布号 |
CN205103293U |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201520740863.2 |
申请日期 |
2015.09.23 |
申请人 |
厦门红相电力设备股份有限公司 |
发明人 |
邓敏;袁愿 |
分类号 |
G01R19/00(2006.01)I;G01R31/02(2006.01)I |
主分类号 |
G01R19/00(2006.01)I |
代理机构 |
泉州市博一专利事务所 35213 |
代理人 |
方传榜;潘文林 |
主权项 |
应用于特高压直流避雷器泄露电流检测的传感器,其特征在于:包括一环形壳体、一呈C形布置的磁芯以及一精密磁电传感器,所述环形壳体内设置有一容置空间,所述磁芯上分别绕设有一第一线圈绕组以及一第二线圈绕组,并且该磁芯安装于所述容置空间内,所述精密磁电传感器也装设于所述容置空间内并且其两端与所述磁芯的两端邻接,所述第一线圈绕组的输入端与避雷器漏电流电连接,所述第二线圈绕组所产生的磁通密度方向与所述第一线圈绕组的磁通密度方向相反。 |
地址 |
361001 福建省厦门市思明区水仙路33号海光大厦21层E单元 |