一种耐高压隧穿晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种耐高压隧穿晶体管及其制备方法，该隧穿晶体管包括：半导体衬底；沟道区，形成在所述半导体衬底中，所述沟道区包括一个或多个STI；第一埋层和第二埋层，形成在所述半导体衬底中且分别位于所述沟道区两侧，所述第一埋层为第一类型非重掺杂，所述第二埋层为第二类型非重掺杂；源区和漏区，形成在所述半导体衬底中且分别位于所述第一埋层和第二埋层上，所述源区为第一类型重掺杂，所述漏区为第二类型重掺杂；栅介质和栅极，所述栅介质形成在所述沟道区的浅沟槽隔离STI之上，所述栅极形成在所述栅介质之上。通过在衬底的有源区设置STI，以增大沟道表面积，其效果相当于增大沟道长度，从而增强隧穿晶体管的耐高电压能力。

主权项

一种耐高压隧穿晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；沟道区，形成在所述半导体衬底中，所述沟道区包括多个浅沟槽隔离STI，其中，所述浅沟槽隔离STI内填充有介质材料，所述介质材料对所述沟道区产生应力；第一埋层和第二埋层，形成在所述半导体衬底中且分别位于所述沟道区两侧，所述第一埋层为第一类型非重掺杂，所述第二埋层为第二类型非重掺杂；源区和漏区，形成在所述半导体衬底中且分别位于所述第一埋层和第二埋层上，所述源区为第一类型重掺杂，所述漏区为第二类型重掺杂；栅介质和栅极，所述栅介质形成在所述沟道区的浅沟槽隔离STI之上，所述栅极形成在所述栅介质之上，其中，所述源区上形成有源区金属层，所述漏区上形成有漏区金属层，所述源区金属层和漏区金属层的材料为金属半导体合金，所述源区金属层、漏区金属层和栅极之上形成有钝化层，所述钝化层上具有贯通至所述源区金属层、漏区金属层和栅极的引线孔。