| 摘要 |
Capteur à semiconducteur à haute sensibilité, présentant de bonnes caractéristiques thermiques, comprenant une couche de capteur constituée d'un mince film de InxGa1-xAsySb1-y (0 < x 1,0, 0 y 1,0) exempt de tout défaut du réseau cristallin, et procédé de fabrication de ce capteur. Ce capteur renferme une première couche à semiconducteur composé à haute résistance, la couche de capteur de InxGa1-xAsySb1-y (0 < x 1,0, 0 y 1,0) formée sur cette première couche et les électrodes formées sur cette dernière. Le capteur se caractérise par le fait que le premier semiconducteur composé présente une constante de son réseau cristallin égale ou pratiquement égale à celle du cristal constituant la couche de capteur, et par le fait qu'il présente une plus grande énergie de la bande interdite que celle du cristal. De même, une deuxième couche à semiconducteur composé, présentant des propriétés analogues à la première, peut être formée par-dessus cette couche de capteur. En outre, l'invention porte également sur le procédé de fabrication d'un tel capteur à semiconducteur. Lorsque ce capteur à semiconducteur est utilisé comme capteur magnétique, il présente une sensibilité et une puissance de sortie inégalées, la dépendance de sa valeur de résistance par rapport à la température est très faible et il est très peu sujet à l'effet de Hall. Il peut également être employé à des températures élevées, avec une haute fiabilité. Il peut aussi constituer un excellent capteur infrarouge moyen, à vitesse de réaction élevée et à faible courant d'obscurité. En outre, c'est un dispositif à haute sensibilité même utilisé comme capteur de pression ou de contrainte. |
