发明名称 一种量子点复合颗粒及其制备方法、光电元件和光电设备
摘要 本发明实施例提供了一种量子点复合颗粒及其制备方法,光电元件和光电设备,涉及量子点技术领域,可以极大地提高量子点的荧光发光效率。所述量子点复合颗粒的制备方法,包括:将二氧化硅包覆在金属纳米颗粒表面;对表面包覆有二氧化硅的金属纳米颗粒进行氨化改性,使所述二氧化硅表面带上氨基官能团;将表面带有羧基官能团修饰的量子点与氨化的表面包覆有二氧化硅的金属纳米颗粒结合,制备完成量子点复合颗粒。
申请公布号 CN103525398B 申请公布日期 2016.03.23
申请号 CN201310495103.5 申请日期 2013.10.21
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 谷敬霞;唐琛
分类号 C09K11/02(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;C09K11/59(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C09K11/02(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种量子点复合颗粒的制备方法,其特征在于,包括:将二氧化硅包覆在金属纳米颗粒表面;对表面包覆有二氧化硅的金属纳米颗粒进行氨化改性,使所述二氧化硅表面带上氨基官能团;将表面带有羧基官能团修饰的量子点与氨化的表面包覆有二氧化硅的金属纳米颗粒结合,制备完成量子点复合颗粒;所述表面带有羧基官能团修饰的量子点采用多磷酸盐或者巯基化合物作为稳定剂,应用水相直接合成法合成;其中,所述金属纳米颗粒包括Al、Zn、Cr或Pt纳米颗粒;所述二氧化硅的厚度为10‑15nm。
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