用以生产ＳＯＩ基板及半导体装置的方法

摘要

明的目的系提供甚至在使用诸如玻璃基板或塑胶基板等挠性基板时，仍能够以高产率生产可用于实际应用中之具有SOI(矽晶绝缘体)层的SOI基板之方法。另外，本发明的另一目的系提供使用此种高产率的SOI基板以生产薄半导体装置之方法。当将单晶半导体基板接合到具有绝缘表面的挠性基板并且将单晶半导体基板分离以生产SOI基板时，使接合表面的一或二者活化，然后将具有绝缘表面的挠性基板和单晶半导体基板彼此装附。

主权项

一种半导体装置生产方法，包含：在第一基板上形成绝缘层；在单晶半导体基板中的预定深度形成包括氢的易碎区；以该绝缘层夹在该单晶半导体基板和该第一基板之间来将彼此接合；藉由热处理来分离该单晶半导体基板，使得单晶半导体层残留在该第一基板上；使用该单晶半导体层来形成半导体元件；以该半导体元件夹在该第一基板和第二基板之间来装附该第一基板和该第二基板；及分离该第一基板，使得该半导体元件残留在该第二基板上。