| 发明名称 |
具包含阻隔金属之凸块总成的晶圆级封装（ＷＬＰ）装置 |
| 摘要 |
明揭示包含凸块总成的WLP半导体装置，该等凸块总成具有用于抑制该等凸块总成内之电迁移之一阻隔层。在一实施方案中，该等凸块总成包含形成于该等WLP装置之积体电路晶片上之铜柱。在该等铜柱之外表面上提供由诸如镍(Ni)之一金属形成之阻隔层以抑制该凸块总成中之电迁移。在该阻隔层上方提供由诸如锡(Sn)之一金属形成之防氧化帽。在该等防氧化帽上方形成焊料凸块。该等防氧化帽抑制该阻隔层在该等凸块总成之制作期间的氧化。 |
| 申请公布号 |
TWI527180 |
申请公布日期 |
2016.03.21 |
| 申请号 |
TW100121705 |
申请日期 |
2011.06.21 |
| 申请人 |
美士美积体产品公司 |
发明人 |
周条;沙莫罗夫 亚卡地Ｖ |
| 分类号 |
H01L23/52(2006.01);H01L21/60(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种晶圆级封装(WLP)装置，其包括：一积体电路晶片；及一凸块总成，其形成于该积体电路晶片上，该凸块总成包含：铜柱，其具有一外表面；一阻隔层，其形成于该外表面上以抑制该凸块总成中之电迁移；一防氧化帽，其形成于该阻隔层上方；及一焊料凸块，其形成于该防氧化帽上。
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| 地址 |
美国 |
