| 发明名称 | 直通矽晶穿孔之制造方法 | ||
| 摘要 | 明系为一种直通穿孔制造方法，该方法包含以下步骤：提供一半导体基板；于该半导体基板中形成一直通穿孔导体构造，该直通穿孔导体构造之顶面与该半导体基板表面等高；以及移除部份之该直通穿孔导体构造，并使该直通穿孔导体构造之顶面低于该半导体基板表面而形成一凹陷。 | ||
| 申请公布号 | TWI527155 | 申请公布日期 | 2016.03.21 |
| 申请号 | TW100121114 | 申请日期 | 2011.06.16 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 蔡腾群;吴俊元;林进富;刘志建;简金城 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 郭晓文 | |
| 主权项 | 一种直通穿孔制造方法，该方法包含以下步骤：提供一半导体基板；于该半导体基板中形成一直通穿孔导体构造，该直通穿孔导体构造之顶面与该半导体基板表面等高；对已具有该直通穿孔导体构造之该半导体基板进行一热制程，使该直通穿孔导体构造之顶面凸出该半导体基板表面；以及移除部份之该直通穿孔导体构造，使该直通穿孔导体构造之顶面与该半导体基板表面等高或略低。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||