半导体装置与其制造方法

摘要

半导体装置包含含矽之一基板、一鳍状结构包含由矽形成且被一绝缘区域包围之一下部分、由碳化锗矽形成之一中部分，其中中部分被一氧化层所包围、由矽形成之一上部分，其中上部分包含一通道与形成于中部分与上部分之间的一碳化矽层、一第一源极/汲极区域包含一第一磷化矽区域与形成于第一磷化矽区域下的第一碳化矽层、以及一第二源极/汲极区域包含一第二磷化矽区域与形成于第二磷化矽区域下的第二碳化矽层。

主权项

一种半导体装置，包含：一基板，由一第一半导体材料所形成；一鳍状结构，突出于该基板上方，其中该鳍状结构包含：一下部分，由该第一半导体材料所形成；一中部分，由一第二半导体材料所形成；一上部分，由该第一半导体材料所形成，其中该上部分包含连接一第一源极/汲极区域与一第二源极/汲极区域的一通道；以及一第一碳掺杂层，形成于该中部分与该上部分之间；一第二碳掺杂层，形成于该第一源极/汲极区域下；以及一第三碳掺杂层，形成于该第二源极/汲极区域下。