| 发明名称 |
电组件 |
| 摘要 |
一实施例，一种电元件包含：一第一介电材料之一第一部分，其位于一第一导电体之一第一部分与一第二导电体之一第一部分之间；及该第一介电材料之一第二部分，其位于该第一导电体之一第二部分与一第三导电体之一第一部分之间。根据另一实施例，一种方法包含：使一第一导电结构形成于该第一介电材料层之一第一部分上；及使一第二导电结构形成于该第一介电材料层之一第二部分上。一第二介电材料层形成于该第一导电结构上且一第三导电结构形成于该第二介电材料层上，其中该第三导电结构位于该第一导电结构及该第二导电结构之部分上。
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| 申请公布号 |
TWM519315 |
申请公布日期 |
2016.03.21 |
| 申请号 |
TW104205084 |
申请日期 |
2015.04.02 |
| 申请人 |
半导体组件工业公司 |
发明人 |
波顿 理查 史考特;派塔席克 卡瑞 |
| 分类号 |
H01L21/02(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/321(2006.01);H01L27/08(2006.01);H01L49/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种电组件，其包括：一第一导电体，其具有一第一主表面及一第二主表面；一第一介电材料，其具有一第一主表面及一第二主表面，该第一介电材料之该第一主表面之一第一部分相邻于该第一导电体之该第二主表面；一第二导电体，其具有一第一主表面及一第二主表面，该第二导电体之该第一主表面相邻于该第一介电材料之该第二主表面之一第一部分；及一第三导电体，其具有一第一主表面及一第二主表面，该第三导电体之该第一主表面相邻于该第一介电材料之该第二主表面之一第二部分。
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| 地址 |
美国 |
