半导体结构及其制造方法

摘要

体结构及其制造方法。半导体结构包括一基板、一第一导电结构、一第二导电结构、介电结构、介电层、一第一导电插塞、及一第二导电插塞。第一导电结构位于基板上。第二导电结构位于基板上，并具有材料异于第一导电结构的一上导电部分。介电结构包括一上介电部分与一下介电部分。介电层介于上介电部分与下介电部分之间，且材料异于上介电部分与下介电部分。第一导电插塞仅穿过上介电部分、介电层与下介电部分，以物性且电性接触第一导电结构。第二导电插塞穿过上介电部分、介电层与下介电部分，以物性且电性接触第二导电结构。

主权项

一种半导体结构的制造方法，包括：形成一第一导电结构于一基板上；形成一第二导电结构于该基板上，该第二导电结构具有材料异于该第一导电结构的一上导电部分，该上导电部分包括金属矽化物；形成一介电结构的一下介电部分于该第一导电结构与该第二导电结构上；形成介电层于该下介电部分上；形成该介电结构的一上介电部分于该介电层上，该介电层的材料异于该上介电部分与该下介电部分；形成一第一导电插塞，仅穿过该上介电部分、该介电层与该下介电部分，以物性且电性接触该第一导电结构；以及形成一第二导电插塞，穿过该上介电部分、该介电层与该下介电部分，以物性且电性接触该第二导电结构。