| 摘要 |
本開示は、光吸収構造体に関するシステム、方法、および装置を提供する。一態様では、光吸収構造体は、金属層と、金属層に接触した半導体層とを有する。各層は、最大で約５０ｎｍの厚みを有する。金属層は、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびアルミニウム（Ａｌ）の少なくとも１つを含み得る。半導体層は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の層を含み得る。光吸収構造体は、表示素子のアレイを支持する基板を有するディスプレイ装置に含まれ得る。光吸収構造体は、金属層と接触している誘電体層と、半導体層と接触している厚い金属層とを含み得る。別の態様では、光吸収構造体は、金属層と、金属層に接触したＩＴＯ層とを有する。ＩＴＯ層の厚みは約１００ｎｍ未満であり得る。 |
