| 摘要 |
Ein Trench-Bipolartransistor mit isoliertem Gate umfasst in der Vorderfläche einer Driftschicht erster Leitfähigkeit ausgebildete Gräben; mehrere selektiv im Innern der Gräben bereitgestellte Gate-Elektroden; aus einem Isolator gebildete Isolierblöcke, mit denen die Innenseiten der Gräben jeweils zwischen benachbarten Gate-Elektroden gefüllt sind; und einen Kollektorbereich zweiter Leitfähigkeit, der auf einer Oberfläche der Driftschicht erster Leitfähigkeit auf der den Gräben gegenüberliegenden Seite ausgebildet ist. |
