一种冷氢化制备三氯氢硅的方法

摘要

本发明涉及一种冷氢化制备三氯氢硅的方法，将熔融态氯化亚铜经喷射雾化至加热干燥的硅粉表面，表面均匀喷涂氯化亚铜的硅粉进入到反应器中，经氢气还原，得到的铜/硅颗粒与氢气和四氯化硅迅速反应，生成三氯化硅产物。避免了催化剂制备环节和催化剂混合环节，使氯化亚铜相对于制备成催化剂时利用率大大提高。

主权项

一种冷氢化制备三氯氢硅的方法，其特征在于包括下述步骤:将氯化亚铜加热至450‑650℃熔融态，经泵加压雾化后，喷涂至温度400‑500℃、氮气密封、搅拌的硅粉中，氯化亚铜与硅粉的质量比为1:75‑250，喷涂氯化亚铜的硅粉进入到反应器中，四氯化硅、氢气、硅粉的摩尔比为1:（2～6）:（700～900），反应温度400‑500℃，压力2.0MPa，接触时间15‑30s，得到三氯氢硅和四氯化硅混合物，计算四氯化硅转化率。