具有包括埋入部分的控制结构的半导体器件及制造方法

摘要

本发明涉及具有包括埋入部分的控制结构的半导体器件及制造方法。一种半导体器件包括具有第一导电类型的源极区和第二导电类型的本体区的晶体管单元。源极区和本体区形成在由半导体本体的一部分形成的半导体台面中。控制结构包括在半导体台面的至少两个相对侧上延伸到半导体本体中的第一部分、第一部分之间的距第一表面一定距离的第二部分、以及距第一表面一定距离并且连接第一部分和第二部分的第三部分，其中半导体台面的收缩区段形成在相邻的第三部分之间。

主权项

一种半导体器件，包括：晶体管单元，包括第一导电类型的源极区和第二导电类型的本体区，其中所述源极区和本体区形成在由半导体本体的一部分形成的半导体台面中；以及控制结构，所述控制结构包括在所述半导体台面的至少两个相对侧上延伸到所述半导体本体中的第一部分、所述第一部分之间的距第一表面一定距离的第二部分、以及距所述第一表面一定距离并且连接所述第一部分和所述第二部分的第三部分，其中所述半导体台面的收缩区段形成在相邻的第三部分之间。