发明名称 |
制造积体电路之一布局设计的形成方法及用以制造积体电路之一布局设计 |
摘要 |
明提供一种制造积体电路之一布局设计的形成方法,包括:辨识出在该布局设计中一或多个区域,该一或多个区域被该布局设计之复数个闸极结构布局图样的一或多个区段所占据,该一或多个区域对应至该积体电路中受到用以制造该积体电路之一电性特征调整制程之一或多个区域,该等闸极结构布局图样沿着一第一方向延伸且具有沿一第二方向可测量之一预定间距,且该预定间距小于一预定微影技术之一空间解析度;以及产生重叠于已辨识之一或多个区域之一组布局图样,该组布局图样系对应于进行该电性特征调整制程前在一罩幕层上所形成之一或多个开口,该组布局图样之一第一布局图样具有沿着该第二方向可测量之一宽度,且该第一图样之该宽度小于两倍的该预定间距。
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申请公布号 |
TW201610734 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
TW104128764 |
申请日期 |
2015.09.01 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
谢东衡;林仲德;王胜雄;庄惠中;蒋敏雄;江庭玮;田丽钧 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01) |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
主权项 |
一种制造积体电路之一布局设计的形成方法,包括:辨识出在该布局设计中一或多个区域,该一或多个区域被该布局设计之复数个闸极结构布局图样的一或多个区段所占据,该一或多个区域对应至该积体电路中受到用以制造该积体电路之一电性特征调整制程之一或多个区域,该等闸极结构布局图样沿着一第一方向延伸且具有沿一第二方向可测量之一预定间距,且该预定间距小于一预定微影技术之一空间解析度;以及产生重叠于已辨识之一或多个区域之一组布局图样,该组布局图样系对应于进行该电性特征调整制程前在一罩幕层上所形成之一或多个开口,该组布局图样之一第一布局图样具有沿着该第二方向可测量之一宽度,且该第一图样之该宽度小于两倍的该预定间距。
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |