半导体装置

摘要

一种能够作用为记忆体装置之半导体装置。记忆体装置包含复数个记忆胞，且记忆胞之每一个含有第一电晶体及第二电晶体。第一电晶体设置在含有半导体材料之基板上方，并在基板中具有通道形成区域。第二电晶体具有氧化物半导体层。第一电晶体的闸极电极与第二电晶体的源极及汲极电极之一互相电连接。第二电晶体之极低关闭电流允许储存在记忆胞中的资料即使在无电力供应下仍可被保留一段显着长的时间。

主权项

一种半导体装置，包含：包含一第一闸极电极的一第一电晶体，该第一闸极电极形成在一基板上方；在该第一电晶体上方之一绝缘层；以及在该绝缘层上方之一第二电晶体，该第二电晶体包含一第二源极电极及一第二汲极电极，其中该第二电晶体包括一氧化物半导体层，其中该第一闸极电极与该第二源极电极及该第二汲极电极之一透过一嵌入该绝缘层中之导电膜而互相电连接，以及其中该氧化物半导体层包含铟、镓、及锌。