发明名称 多孔复合陶瓷部件、其制备方法以及等离子体处理腔室
摘要 本发明提供一种用于等离子体处理腔室的多孔复合陶瓷部件、其制备方法以及等离子体处理腔室。制备多孔复合陶瓷部件的方法,包括:制备含有钇元素的流体;将含有钇元素的流体渗入多孔陶瓷基体表面的微孔中;经过热处理和/或等离子体时效处理,在多孔陶瓷基体的整个表面和微孔中填充含钇化合物,形成填充有含钇化合物的多孔复合陶瓷部件;通过机械加工处理去除多孔复合陶瓷部件表面多余的含钇化合物,直至多孔复合陶瓷部件表面平滑。本发明通过在多孔复合陶瓷部件的表面和微孔中形成含钇化合物,有效提高了多孔复合陶瓷部件对等离子体的抗蚀能力,提高了等离子体处理腔室的工艺稳定性,以及延长使用寿命,并且达到简化工艺和节约成本的目的。
申请公布号 CN103021773B 申请公布日期 2016.03.16
申请号 CN201210593720.4 申请日期 2012.12.31
申请人 中微半导体设备(上海)有限公司 发明人 姚国峰;贺小明
分类号 H01J37/16(2006.01)I;H01J9/24(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I 主分类号 H01J37/16(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;林彦之
主权项 一种用于等离子体处理腔室的多孔复合陶瓷部件,其特征在于,所述多孔复合陶瓷部件包含:一个多孔陶瓷基体,其表面具有多个微孔;以及含钇化合物,填充于所述多孔陶瓷基体整个表面和微孔内;其中,所述含钇化合物是通过将含有钇元素的流体渗入于所述多孔陶瓷基体表面的微孔中,再在第一种气氛下进行热处理,使所述含有钇元素的流体转变为第一种含钇化合物,然后在第一种气氛下进行等离子体时效处理,从而形成表面微孔中具有所述第一种含钇化合物的所述多孔复合陶瓷部件;或者在第一种气氛下进行热处理,使所述含有钇元素的流体转变为第一种含钇化合物,然后在与第一种气氛不同的第二种气氛下进行等离子体时效处理,使所述的第一种含钇化合物变为与之不同的第二种含钇化合物,从而形成表面微孔中具有所述第二种含钇化合物的所述多孔复合陶瓷部件;所述热处理采用空气、氧气、氯气或含氟气体,所述等离子体时效处理采用含氧、氟或氯的等离子体。
地址 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号