一种半导体器件

摘要

本发明公开了一种改善电阻均匀性的半导体器件，通过在不违反芯片设计规则的前提下，通过在AA(有源区)或Fin的外围增设虚拟栅，通过增设的虚拟栅来改善半导体器件电阻的均匀性，进而减小了在半导体器件中由于栅极之间的间距过大进而造成的源漏区域外延工艺的微负载效应，提高器件性能；本发明在射频电路器件的制备中能够得到更好的应用，同时实现成本较低，利用现有技术及相关工艺设备能够较容易的实现，适合大范围推广应用。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括一设置有有源区的衬底，在位于所述有源区两侧的衬底上还均至少设置有一个虚拟栅，以改善所述半导体器件的电阻均匀性。