一种基于纳米球刻蚀技术联合离子束溅射技术制备有序硅纳米团簇的方法

摘要

本发明涉及一种基于纳米球刻蚀技术联合离子束溅射技术制备有序硅纳米团簇的方法，属于半导体量子材料的制备技术领域。本发明采用小于100nm直径的聚苯乙烯（PS）纳米球一定的参数配制的PS-甲醇-去离子水的纳米球悬浮液；采用较为成熟的LB法在Si衬底上制备得到单层有序的PS纳米球薄膜。利用KOH对硅衬底的各项异性刻蚀特点，制备尺寸可控的六角密堆纳米坑Si基图形衬底。采用离子束溅射技术，在Si基图形衬底上制备有序的硅纳米团簇。该方法具有低成本、工艺简单、生产效率高等特点，为制备硅纳米团簇太阳能电池提供了更好的途径。

主权项

一种基于纳米球刻蚀技术联合离子束溅射技术制备有序硅纳米团簇的方法，其特征在于包括纳米球刻蚀法制备硅基二维有序纳米坑型图形衬底；基于离子束溅射技术在Si基纳米坑图形衬底上生长二维有序硅纳米团簇。