发明名称 |
一种低暗电流铟镓砷探测器及其制备方法 |
摘要 |
本发明所述的一种低暗电流铟镓砷探测器,包括层叠设置的第二电极、N型InP衬底和本征InP缓冲层,所述InP缓冲层上直接形成有InGaAs光敏层,所述InGaAs光敏层上层叠设置有InP帽层和通过外延方式生长的钝化层,所述InP帽层面积小于或等于所述InGaAs光敏层的面积;所述钝化层中开设有暴露所述InP帽层部分区域的通孔,沿所述通孔内侧壁形成环形第一电极。通过外延方式制备的钝化层,其成膜质量远远高于传统工艺所制备的钝化层,可以大大降低铟镓砷探测器的暗电流,提高灵敏度。 |
申请公布号 |
CN105405913A |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
CN201510928646.0 |
申请日期 |
2015.12.15 |
申请人 |
苏州矩阵光电有限公司 |
发明人 |
胡双元 |
分类号 |
H01L31/10(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/10(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种低暗电流铟镓砷探测器,其特征在于,包括层叠设置的第二电极(8)、N型InP衬底(1)和本征InP缓冲层(2),所述InP缓冲层(2)上直接形成有InGaAs光敏层(3),所述InGaAs光敏层(3)上层叠设置有InP帽层(4)和通过外延方式生长的钝化层(5),所述InP帽层面积小于或等于所述InGaAs光敏层的面积;所述钝化层(5)中开设有暴露所述InP帽层部分区域的通孔,沿所述通孔内侧壁形成环形第一电极(6)。 |
地址 |
215614 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科创园D栋苏州矩阵光电有限公司 |