| 发明名称 | 一种倒装LED芯片 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种倒装LED芯片，包括衬底，由N型GaN层、多量子阱有源区及P型GaN层组成的外延层，及分别与N型GaN层及P型GaN层电连接的N电极和P电极，还包括从上方及周侧包围P型GaN层的反射镜，以将多量子阱有源区发出的光全部反射到衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN205092266U | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201520718102.7 | 申请日期 | 2015.09.16 |
| 申请人 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 发明人 | 陈超;陈立人;李庆 |
| 分类号 | H01L33/52(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/52(2010.01)I |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人 | 杨林洁 |
| 主权项 | 一种倒装LED芯片，包括衬底，由N型GaN层、多量子阱有源区及P型GaN层组成的外延层，及分别与N型GaN层及P型GaN层电连接的N电极和P电极，其特征在于，还包括反射镜，所述反射镜从上方及周侧包围所述P型GaN层，以将多量子阱有源区发出的光全部反射到衬底。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号 | ||