LDMOS器件及其形成方法

摘要

一种LDMOS器件及其形成方法，LDMOS器件包括：绝缘上硅衬底，包括第一衬底、第二衬底和位于第一衬底和第二衬底之间的掩埋层；位于第二衬底上的LDMOS晶体管，包括：位于第二衬底内的阱区位于阱区内的源区和漏区，源区和漏区的深度小于阱区的深度，源区和漏区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相反；覆盖LDMOS晶体管和第二衬底表面的第一介质层；贯穿所述第一通孔和第一介质层和源区的厚度的第一通孔；位于源区底部的阱区内的第一掺杂区，第一掺杂区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相同；填充满第一通孔的第一金属插塞，第一金属插塞与源区和第一掺杂区电连接。本发明的LDMOS器件克服了浮体效应的影响。

主权项

一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供绝缘上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括第一衬底、第二衬底和位于第一衬底和第二衬底之间的掩埋层；在所述第二衬底上形成LDMOS晶体管，所述LDMOS晶体管包括：位于第二衬底内的阱区，位于阱区内的源区和漏区，源区和漏区的深度小于阱区的深度，源区和漏区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相反；形成覆盖所述LDMOS晶体管和第二衬底表面的第一介质层；刻蚀所述第一介质层和部分厚度的第二衬底，形成第一通孔，所述第一通孔贯穿第一介质层和源区的厚度，并暴露出源区底部的阱区；沿第一通孔进行离子注入，在源区底部的阱区内形成第一掺杂区，第一掺杂区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相同；形成填充满第一通孔的第一金属插塞。