CMOS晶体管的形成方法

摘要

一种CMOS晶体管的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括与NMOS晶体管对应的第一区域衬底和与PMOS晶体管对应的第二区域衬底；在第一区域衬底表面形成第一栅极结构，且在第二区域衬底表面形成第二栅极结构；形成覆盖第一栅极结构和第二栅极结构表面的硬掩膜层；形成覆盖硬掩膜层和衬底表面的隔离介质层；形成覆盖隔离介质层的应力层；进行退火处理；依次去除应力层和隔离介质层；在第一区域衬底和覆盖第一栅极结构表面硬掩膜层上形成掩膜层；以掩膜层为掩模，在第二栅极结构及其表面硬掩膜层两侧的第二区域衬底内形成锗硅层；去除硬掩膜层和掩膜层。本发明所形成的CMOS晶体管的性能好、响应速度快。

主权项

一种CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括与NMOS晶体管对应的第一区域衬底和与PMOS晶体管对应的第二区域衬底；在所述第一区域衬底表面形成第一栅极结构，且在所述第二区域衬底表面形成第二栅极结构；形成覆盖所述第一栅极结构和第二栅极结构表面的硬掩膜层；形成覆盖所述硬掩膜层和衬底表面的隔离介质层；形成覆盖所述隔离介质层的应力层；进行退火处理；依次去除所述应力层和隔离介质层；在第一区域衬底和覆盖第一栅极结构表面硬掩膜层上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩模，在第二栅极结构及其表面硬掩膜层两侧的第二区域衬底内形成锗硅层；去除所述硬掩膜层和掩膜层。