发明名称 | 一种能够形成密闭腔室的半导体热盘结构 | ||
摘要 | 本发明涉及半导体生产设备,具体地说是一种能够形成密闭腔室的半导体热盘结构。包括热盘盘盖、盘体密封、密封波纹管、热盘下盘体及热盘上盘体,其中盘体密封的顶部与底部为敞开式,所述热盘上盘体和热盘下盘体设置于盘体密封内,热盘下盘体为圆环结构,盘体密封上设有盘体吸真空管路接口、并底部与热盘上盘体密封连接,密封波纹管的上端与盘体密封的底部连接、并端部与热盘上盘体的底部密封连接,密封波纹管的下端设有波纹管密封盖,热盘盘盖密封连接于盘体密封的顶部,热盘盘盖上设有工艺气体入口,热盘盘盖、盘体密封、热盘上盘体及密封波纹管形成密封腔室,热盘上盘体上设有将热盘上盘体两侧腔室连通的通孔。本发明密封方式对装配精度要求较低,可能存在泄漏真空的位置点相对较少且容易形成真空腔室。 | ||
申请公布号 | CN105405787A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
申请号 | CN201410466035.4 | 申请日期 | 2014.09.11 |
申请人 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 发明人 | 尹硕 |
分类号 | H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人 | 何丽英 |
主权项 | 一种能够形成密闭腔室的半导体热盘结构,其特征在于:包括热盘盘盖(1)、盘体密封(2)、密封波纹管(3)、热盘下盘体(4)及热盘上盘体(6),其中盘体密封(2)的顶部与底部为敞开式,所述热盘上盘体(6)和热盘下盘体(4)由上至下依次设置于盘体密封(2)内,所述热盘下盘体(4)为圆环结构,所述盘体密封(2)上设有盘体吸真空管路接口(5)、并底部与热盘上盘体(6)密封连接,所述密封波纹管(3)的上端与盘体密封(2)的底部连接、并端部穿过热盘下盘体(4)的中心孔与热盘上盘体(6)的底部密封连接,所述密封波纹管(3)的下端设有波纹管密封盖,所述热盘盘盖(1)密封连接于盘体密封(2)的顶部,热盘盘盖(1)上设有工艺气体入口(11),所述热盘盘盖(1)、盘体密封(2)、热盘上盘体(6)及密封波纹管(3)形成密封腔室,所述热盘上盘体(6)上设有将热盘上盘体(6)两侧腔室连通的通孔。 | ||
地址 | 110168 辽宁省沈阳市浑南新区飞云路16号 |