JUNCTION SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT.

摘要

Un élément photo-émetteur à semiconducteur à jonction se compose d'une partie plate, d'une saillie en forme de colonne disposée sur une surface de la partie plate, et d'électrodes placées sur les deux côtés de la partie plate. La saillie en forme de colonne possède une jonction PN s'étendant à angles droits par rapport à la partie plate, et la partie plate possède une jonction PN s'étendant en parallèle avec la partie. Cet élément photo-émetteur est formé de sorte que lorsqu'une tension prédéterminée est appliquée entre ces électrodes, une quantité plus importante de courant électrique est injectée dans la jonction PN dans la saillie en forme de colonne que dans la jonction PN dans la partie plate. Il est possible de provoquer aisément l'oscillation continue de l'élément photo-émetteur à la température ambiante. L'élément photo-émetteur ci-décrit permet un agencement bidimensionnel et une intégration poussée. En intégrant des détecteurs optiques et des couches photo-absorbantes saturables dans le sens de l'épaisseur de l'élément photo-émetteur, l'on peut obtenir différents types de dispositifs à fonctionnement optique de degré élevé.