Verfahren zur Herstellung von Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; mittels einer frühen Deckschichtanpassung

摘要

Bei der Herstellung von Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; in Transistoren unterschiedlicher Leitfähigkeitsart unter Einbau einer eingebetteten verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung selektiv in eine Transistorart wird eine bessere Prozessgleichmäßigkeit erreicht, indem selektiv die Dicke eines dielektrischen Deckmaterials eines Gateschichtstapels über dem aktiven Gebiet von Transistoren reduziert wird, die die verformungsinduzierende Halbleiterlegierung nicht erhalten. In diesem Falle wird ein besserer Einschluss und somit eine bessere Integrität empfindlicher Gatematerialien in Prozessstrategien erreicht, in denen die komplexen Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; in einer frühen Fertigungsphase hergestellt werden, während in einem Austauschgateverfahren eine bessere Prozessgleichmäßigkeit beim Freilegen der Oberfläche eines Platzhalterelektrodenmaterials erreicht wird.