| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供具有第一晶体管区和第二晶体管区的半导体衬底，在其上形成有包括依次层叠的高k介电层、覆盖层和牺牲栅电极层的伪栅极结构；在半导体衬底上形成层间介电层，以填充伪栅极结构之间的间隙；沉积牺牲层，以作为后续在伪栅极结构的顶部形成硅化物保护层的前体材料；执行退火，以在伪栅极结构的顶部形成硅化物保护层；去除硅化物保护层和牺牲栅电极层，得到栅沟槽；沉积金属栅极材料层，以完全填充栅沟槽。根据本发明，可以在先去除位于第一晶体管区(第二晶体管区)的牺牲栅电极层的过程中，避免位于第二晶体管区(第一晶体管区)的牺牲栅电极层的顶部受到损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN105405751A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201410256271.3 | 申请日期 | 2014.06.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 韩秋华;赵简 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有第一晶体管区和第二晶体管区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有包括依次层叠的高k介电层、覆盖层和牺牲栅电极层的伪栅极结构；在所述半导体衬底上形成层间介电层，以填充所述伪栅极结构之间的间隙；沉积牺牲层，以作为后续在所述伪栅极结构的顶部形成硅化物保护层的前体材料；执行退火，以在所述伪栅极结构的顶部形成硅化物保护层；去除所述硅化物保护层以及所述伪栅极结构中的牺牲栅电极层，得到栅沟槽；沉积金属栅极材料层，以完全填充所述栅沟槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||