发明名称 |
具有金属、电介质及氮化物相容性之抗反射涂层清洗及蚀刻后残留物移除组成物 |
摘要 |
明系关于一种自其上具有抗反射涂层(ARC)材料及/或蚀刻后残留物之基板移除该等材料的液体移除组成物及方法。该组成物在积体电路之制造中达成ARC材料及/或蚀刻后残留物之至少部分移除同时对基板上之金属物质(诸如铝、铜及钴合金)有最小蚀刻,且不会损坏半导体架构中所使用之低k电介质及含氮化物材料。
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申请公布号 |
TW201610102 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
TW104118109 |
申请日期 |
2015.06.04 |
申请人 |
安堤格里斯公司 |
发明人 |
库珀 艾曼纽;利比 史蒂芬;宋凌雁 |
分类号 |
C09K13/06(2006.01);C11D7/08(2006.01);C11D7/50(2006.01);C11D7/36(2006.01);C11D7/32(2006.01);C23F11/04(2006.01);B08B3/04(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
C09K13/06(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
赖经臣;宿希成 |
主权项 |
一种液体移除组成物,其包含至少一种含氟化物之化合物、至少一种有机溶剂、视需要之水、及介电钝化剂及/或腐蚀抑制剂及/或至少一种含矽化合物中至少一者,其中该液体移除组成物适用于自其上具有抗反射涂层(ARC)材料及/或蚀刻后残留物之微电子装置移除该等材料及/或残留物。
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地址 |
美国 |