| 摘要 |
자기 메모리 및 그 동작방법이 개시되어 있다. 개시된 자기 메모리는 메모리셀 및 상기 메모리셀에 저장된 데이터를 읽을 때 기준이 되는 기준셀을 포함할 수 있다. 상기 메모리셀은 제1 MTJ 요소와 그에 연결된 제1 트랜지스터를 포함할 수 있다. 상기 기준셀은 병렬로 연결된 제2 및 제3 MTJ 요소와 이들에 각각 연결된 제2 및 제3 트랜지스터를 포함할 수 있다. 상기 제2 및 제3 MTJ 요소 중 하나는 상기 제1 MTJ 요소의 제1 데이터에 대응하는 저저항을 가질 수 있고, 다른 하나는 상기 제1 MTJ 요소의 제2 데이터에 대응하는 고저항을 가질 수 있다. 상기 제2 및 제3 MTJ 요소에 서로 반대 방향의 쓰기전류를 인가하도록 구성된 쓰기회로를 포함하는 제어회로부가 더 구비될 수 있다. |
