| 发明名称 |
半导体发光元件及光耦合装置 |
| 摘要 |
明之实施形态提供一种结晶缺陷之增长受到抑制之半导体发光元件及光耦合装置。
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| 申请公布号 |
TW201611327 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
| 申请号 |
TW104128913 |
申请日期 |
2015.09.02 |
| 申请人 |
东芝股份有限公司 |
发明人 |
藤本贤冶;鎌仓孝信 |
| 分类号 |
H01L33/06(2010.01);H01L27/14(2006.01);H01L25/04(2014.01) |
主分类号 |
H01L33/06(2010.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种半导体发光元件，其具备具有发光层之半导体积层体，该发光层包含应变量子井构造，该应变量子井构造包含：n层(n：1以上10以下之整数)井层，其包含Inx(Ga1-yAly)1-xAs(其中，0<x≦0.2、0<y<1)；及(n+1)层势垒层，其与上述井层交替地积层且包含Ga1-zAlzAs(其中，0<z<1)；且上述发光层发出具有700nm以上且870nm以下之峰值波长之光。
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| 地址 |
日本 |
