一种晶体管形成方法

摘要

一种晶体管形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面的材料含硅，所述衬底表面具有栅极；在所述栅极的表面以及衬底暴露的表面形成侧墙介质层；向所述侧墙介质层掺入碳离子；掺入碳离子后，刻蚀所述侧墙介质层，形成位于栅极侧壁的掺碳的侧墙；形成所述掺碳侧墙后，在栅极两侧的衬底内形成源、漏极；在所述源、漏极表面，及栅极表面形成金属层，所述金属层含镍；对所述金属层进行退火处理，镍与衬底表面的硅以及栅极表面的硅发生反应，形成镍硅化物层。通过本发明所提供的晶体管形成方法，可以提高晶体管的可靠性。

主权项

一种晶体管形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有栅极；在所述栅极的侧壁形成掺碳侧墙；形成所述掺碳侧墙后，在栅极两侧的衬底内形成源、漏极；在所述源、漏极表面，及栅极表面形成镍硅化物层；形成所述掺碳侧墙的步骤包括：形成侧墙介质层，所述侧墙介质层覆盖所述栅极和所述衬底暴露的表面；向所述侧墙介质层注入碳离子，并进行第一退火处理激活所掺入的碳离子；激活碳离子后，刻蚀所述侧墙介质层，形成位于栅极侧壁的侧墙；或者，形成所述掺碳侧墙的步骤包括：形成侧墙介质层，所述侧墙介质层覆盖所述栅极和所述衬底暴露的表面；刻蚀所述侧墙介质层，形成位于栅极侧壁的侧墙；向所述侧墙注入碳离子，并进行第一退火处理激活所掺入的碳离子；所述侧墙介质层包括依次形成的二氧化硅层和氮化硅层，在所述第一退火处理过程中，所述碳离子与氮化硅层中的氮化硅键合，形成新的物质；注入碳离子的工艺参数是：注入能量为1‑5keV，注入剂量为5E14‑5E15/平方厘米。