电流偏置电路

摘要

本发明公开了一种电流偏置电路，包括：第一、第二电流镜和偏置路径；第一电流镜包括互为镜像的第一和二PMOS管；第二电流镜包括互为镜像的第一和二NMOS管；第一PMOS管的漏极电流通过第三PMOS管和第一NMOS管的漏极电流连接形成第一电流路径；第二PMOS管的漏极电流通过第三NMOS管和第二NMOS管的漏极电流连接形成第二电流路径；第一PMOS管和第三PMOS管组成第一共源共栅结构，第二NMOS管和第三NMOS管组成第二共源共栅结构；偏置路径提供第一偏置电压到第三PMOS管的栅极，偏置路径的电流输出端通过第一电阻接地。本发明能节约电阻面积，降低成本。

主权项

一种电流偏置电路，其特征在于，包括：第一电流镜、第二电流镜和偏置路径；所述第一电流镜包括互为镜像的第一PMOS管和第二PMOS管；所述第二电流镜包括互为镜像的第一NMOS管和第二NMOS管；所述第一PMOS管的漏极电流通过第三PMOS管和所述第一NMOS管的漏极电流连接形成第一电流路径；所述第二PMOS管的漏极电流通过第三NMOS管和所述第二NMOS管的漏极电流连接形成第二电流路径；所述第一NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的源极和地之间连接有第一电阻；所述第一NMOS管的漏极和栅极都连接所述第二NMOS管的栅极；所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极都接电源电压，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极和漏极；所述第三PMOS管的源极连接所述第一PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极电流，所述第三PMOS管的栅极连接第一偏置电压；所述第三NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极电流，所述第三NMOS管的栅极连接第二偏置电压；所述第一电阻使所述第一NMOS管的栅源电压和所述第二NMOS管的栅源电压不相等，利用所述第一NMOS管和所述第二NMOS管之间的栅源电压差以及所述第一电流路径和所述第二电流路径的电流成比例的关系使所述第一电流镜和所述第二电流镜形成一个稳定的负反馈环路并输出和电源电压无关的基准电流；所述第一PMOS管和所述第三PMOS管组成第一共源共栅结构，所述第一共源共栅结构使所述第一PMOS管的漏极电压稳定；所述第二NMOS管和所述第三NMOS管组成第二共源共栅结构，所述第二共源共栅结构使所述第二NMOS管的漏极电压稳定；通过使所述第一PMOS管的漏极电压和所述第二NMOS管的漏极电压稳定来提高所述第一电流路径和所述第二电流路径的电流稳定性；所述偏置路径提供所述第一偏置电压到所述第三PMOS管的栅极，所述偏置路径的电流输出端通过所述第一电阻接地，用以增加所述第一电阻通过的电流，从而使所述第一电阻取更小的值就能得到所述基准电流所需的所述第一NMOS管和所述第二NMOS管之间的栅源电压差。