一种制造一微机电系统结构的方法

摘要

用于产生MEMS结构之方法包含在一晶圆(1)上沈积并图案化一第一遮罩(2)以便界定待在一第一沟槽蚀刻中蚀刻的所要第一区域并界定待在一第二沟槽蚀刻中蚀刻的所要第二区域。一第一中间遮罩(15)沈积于该第一遮罩(2)的顶部上并经图案化，凹陷沟槽(3c)蚀刻于该晶圆的数个部分上。在移除了该第一中间遮罩(15)之后，蚀刻第一沟槽(3a、3b)，同时进一步蚀刻该等凹陷沟槽(3c)。该等第一沟槽(3a、3b)及该等凹陷沟槽(3c)填充有一沈积层(4)。该沈积层(4)的部分在第二上被移除。剩余部分保留于某些区域上以充当一第二遮罩(4")。沈积一第三遮罩(5)。该第三遮罩(5)界定最终结构。该晶圆(1)在该等第二区域上的部分在该第二沟槽蚀刻中进行蚀刻。接着移除该等遮罩(4")。

主权项

一种藉由选择性地蚀刻一矽晶圆而产生MEMS结构的方法，该矽晶圆藉由使用用于界定一MEMS器件之结构特征的遮蔽层来图案化，其特征在于该方法包含：a)将一第一遮罩(2)沈积于一矽晶圆(1)上并图案化该第一遮罩(2)以便界定该晶圆(1)上待在一第一沟槽蚀刻中蚀刻的所要第一区域并界定待在一第二沟槽蚀刻中蚀刻的所要第二区域，b)在该第一遮罩(2)之顶部上沈积一第一中间遮罩(15)并图案化该第一中间遮罩(15)，该第一中间遮罩(15)界定该晶圆(1)上待藉由蚀刻达一第一所界定深度而凹入的所要区域，c)在一凹陷沟槽蚀刻中在该晶圆(1)之未由该第一中间遮罩(15)亦未由该第一遮罩(2)覆盖的部分上蚀刻凹陷沟槽(3c)，d)移除该第一中间遮罩(15)，e)在一第一沟槽蚀刻中在该晶圆(1)的未由该第一遮罩(2)覆盖的该等部分上蚀刻第一沟槽(3a、3b)且进一步蚀刻该等凹陷沟槽(3c)，f)用一沈积层(4)填充该等第一沟槽(3a、3b)及该等凹陷沟槽(3c)，g)移除该沈积层(4)的在待在该第二沟槽蚀刻中蚀刻之该等所要第二区域上的一部分，且在除该等第二区域外之区域上留下一剩余部分以充当一第二遮罩(4")以便界定最终结构，h)在该第二沟槽蚀刻中在该等所要第二区域上蚀刻该晶圆(1)的部分，及i)移除该第二遮罩(4")。