| 摘要 |
비트셀 및 로직 파티셔닝을 갖는 모놀리식 3차원(3D) 메모리 셀 어레이 아키텍처가 개시된다. 3D 직접 회로(IC)(3DIC) 내에서 상이한 티어들로 메모리 셀의 엘리먼트들을 접거나 그렇지 않고 적층할 수 있는 3DIC가 제안된다. 3DIC의 각 티어는 메모리 셀 뿐만 아니라 내부에 글로벌 블록 제어 로직을 포함하는 액세스 로직을 갖는다. 메모리 셀들을 갖는 각각의 티어에 액세스 로직 및 글로벌 블록 제어 로직을 포지셔닝함으로써, 각각의 메모리 셀에 대한 비트 및 워드 라인들의 길이는 단축되어, 감소된 서플라이 전압들을 허용할 뿐만 아니라 대체로 메모리 디바이스의 전체 풋프린트를 감소시킨다. |
